隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術(shù)的不斷發(fā)展，端點(diǎn)設(shè)備中使用的MCU預(yù)計(jì)將提供比以往更高的性能。高性能MCU的CPU時(shí)鐘頻率在數(shù)百M(fèi)Hz，因此為了獲得更高的性能，需要提高嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的讀取速度，以盡量減少與CPU時(shí)鐘頻率之間的差距。

 

    MRAM的讀取余量比傳統(tǒng) MCU 中使用的閃存更小，使得高速讀取操作更加困難。另一方面，對(duì)于寫入性能，MRAM 比閃存更快，因?yàn)樗趫?zhí)行寫入操作之前不需要擦除操作。然而，縮短寫入時(shí)間不僅對(duì)于日常使用來(lái)說(shuō)是可取的，而且對(duì)于降低在測(cè)試過(guò)程中寫入測(cè)試模式以及最終產(chǎn)品制造商寫入控制代碼的成本也是有利的。

    英尚微MRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商代理有Everspin、Netsol等品牌,MRAM具有快速且不易失的特點(diǎn)?？焖倌陀玫姆且资越鉀Q方案的需求正在逐漸增加。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性.

本文關(guān)鍵詞：MRAM
 

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